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DMN3300U-7

DMN3300U-7 Diodes Zetex

ds31181.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details DMN3300U-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN3300U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 700mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMN3300U-7 DMN3300U-7 Diodes Zetex ds31181.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
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DMN3300U-7 DMN3300U-7 Diodes Zetex ds31181.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
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DMN3300U-7 DMN3300U-7 Diodes Zetex ds31181.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
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DMN3300U-7 DMN3300U-7 Diodes Incorporated ds31181.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 193 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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6000+0.24 EUR
9000+0.23 EUR
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DMN3300U-7 DMN3300U-7 Diodes Zetex ds31181.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
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545+0.31 EUR
627+0.26 EUR
1006+0.17 EUR
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DMN3300U-7 DMN3300U-7 Diodes Zetex ds31181.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
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375+0.45 EUR
378+0.43 EUR
545+0.29 EUR
549+0.27 EUR
627+0.23 EUR
1006+0.13 EUR
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DMN3300U-7 DMN3300U-7 Diodes Incorporated ds31181.pdf MOSFETs 600mW 30Vdss
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4+0.98 EUR
10+0.68 EUR
100+0.44 EUR
500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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DMN3300U-7 DMN3300U-7 Diodes Incorporated ds31181.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 193 pF @ 10 V
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19+1.15 EUR
30+0.71 EUR
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1000+0.31 EUR
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DMN3300U-7 DMN3300U-7 DIODES INC. ds31181.pdf Description: DIODES INC. - DMN3300U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1685 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
199+1.26 EUR
289+0.81 EUR
443+0.49 EUR
585+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 199 Stücke
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DMN3300U-7 DMN3300U-7 DIODES INC. ds31181.pdf Description: DIODES INC. - DMN3300U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
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Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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199+1.26 EUR
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Hersteller: Diodes Zetex
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Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
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DMN3300U-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 193 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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545+0.31 EUR
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Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
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375+0.45 EUR
378+0.43 EUR
545+0.29 EUR
549+0.27 EUR
627+0.23 EUR
1006+0.13 EUR
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MOSFETs 600mW 30Vdss
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DMN3300U-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
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Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 193 pF @ 10 V
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3300U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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289+0.81 EUR
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1000+0.33 EUR
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3300U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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199+1.26 EUR
289+0.81 EUR
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