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DMN3300U-7

DMN3300U-7 Diodes Zetex

ds31181.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details DMN3300U-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN3300U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 700mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMN3300U-7 DMN3300U-7 Hersteller : Diodes Zetex ds31181.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
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DMN3300U-7 DMN3300U-7 Hersteller : Diodes Incorporated ds31181.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 193 pF @ 10 V
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DMN3300U-7 DMN3300U-7 Hersteller : Diodes Incorporated ds31181.pdf MOSFETs 600mW 30Vdss
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DMN3300U-7 DMN3300U-7 Hersteller : Diodes Incorporated ds31181.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 193 pF @ 10 V
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DMN3300U-7 DMN3300U-7 Hersteller : DIODES INC. ds31181.pdf Description: DIODES INC. - DMN3300U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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DMN3300U-7 DMN3300U-7 Hersteller : DIODES INC. ds31181.pdf Description: DIODES INC. - DMN3300U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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DMN3300U-7 DMN3300U-7 Hersteller : Diodes Inc ds31181.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
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DMN3300U-7 DMN3300U-7 Hersteller : Diodes Zetex ds31181.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
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DMN3300U-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED ds31181.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.6A; Idm: 8A; 1.3W; SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 8A
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN3300U-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED ds31181.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.6A; Idm: 8A; 1.3W; SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 8A
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
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