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Technische Details DMN33D8LT-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN33D8LT-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 115 mA, 5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 115mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 240mW, Bauform - Transistor: SOT-523, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote DMN33D8LT-13 nach Preis ab 0.086 EUR bis 0.88 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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DMN33D8LT-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 240mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48 pF @ 5 V |
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DMN33D8LT-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET 33V Single N-Ch Enh 20Vgss 115mA 240mW |
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DMN33D8LT-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 240mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48 pF @ 5 V |
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DMN33D8LT-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN33D8LT-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 115 mA, 5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 240mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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DMN33D8LT-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN33D8LT-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 115 mA, 5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 240mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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DMN33D8LT-13 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.115A 3-Pin SOT-523 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMN33D8LT-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.115A 3-Pin SOT-523 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMN33D8LT-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 115mA; 300mW; SOT523 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.115A Power dissipation: 0.3W Case: SOT523 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke |
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DMN33D8LT-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 115mA; 300mW; SOT523 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.115A Power dissipation: 0.3W Case: SOT523 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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