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DMN33D8LT-13

DMN33D8LT-13 Diodes Zetex

dmn33d8lt.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.115A 3-Pin SOT-523 T/R
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Technische Details DMN33D8LT-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN33D8LT-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 115 mA, 5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 115mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 240mW, Bauform - Transistor: SOT-523, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMN33D8LT-13 DMN33D8LT-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMN33D8LT.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 240mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48 pF @ 5 V
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DMN33D8LT-13 DMN33D8LT-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMN33D8LT.pdf MOSFETs 33V Single N-Ch Enh 20Vgss 115mA 240mW
auf Bestellung 47502 Stücke:
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14+0.22 EUR
100+0.11 EUR
1000+0.09 EUR
2500+0.08 EUR
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Mindestbestellmenge: 9
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DMN33D8LT-13 DMN33D8LT-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMN33D8LT.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 240mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48 pF @ 5 V
auf Bestellung 124350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
56+0.32 EUR
80+0.22 EUR
156+0.11 EUR
1000+0.10 EUR
2000+0.09 EUR
5000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 56
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DMN33D8LT-13 DMN33D8LT-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0011756464-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN33D8LT-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 115 mA, 5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 19145 Stücke:
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DMN33D8LT-13 DMN33D8LT-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0011756464-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN33D8LT-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 115 mA, 5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMN33D8LT-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN33D8LT.pdf DMN33D8LT-13 SMD N channel transistors
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