DMN3730U-7 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.2 EUR |
| 6000+ | 0.19 EUR |
| 9000+ | 0.17 EUR |
| 75000+ | 0.16 EUR |
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Technische Details DMN3730U-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN3730U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 750 mA, 0.46 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 750mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 710mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 710mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.46ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DMN3730U-7 nach Preis ab 0.11 EUR bis 0.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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DMN3730U-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.75A; Idm: 10A; 0.45W; SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.45W On-state resistance: 0.46Ω Drain current: 0.75A Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 10A Drain-source voltage: 30V Case: SOT23 Kind of package: 7 inch reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1404 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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DMN3730U-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.75A; Idm: 10A; 0.45W; SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.45W On-state resistance: 0.46Ω Drain current: 0.75A Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 10A Drain-source voltage: 30V Case: SOT23 Kind of package: 7 inch reel; tape |
auf Bestellung 1404 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN3730U-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 SOT23,3K |
auf Bestellung 35386 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN3730U-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 450mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V |
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DMN3730U-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3730U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 750 mA, 0.46 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 750mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 5500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN3730U-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3730U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 750 mA, 0.46 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 750mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 710mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.46ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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