Produkte > DIODES INCORPORATED > DMN3731U-13
DMN3731U-13

DMN3731U-13 Diodes Incorporated

DMN3731U.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 900MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
auf Bestellung 8069 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.35 EUR
81+0.22 EUR
131+0.14 EUR
500+0.10 EUR
1000+0.09 EUR
2000+0.08 EUR
5000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details DMN3731U-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 900MA SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 400mW, Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V.

Weitere Produktangebote DMN3731U-13 nach Preis ab 0.04 EUR bis 0.41 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DMN3731U-13 DMN3731U-13 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0008363727_1-2543186.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
auf Bestellung 16346 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+0.41 EUR
10+0.28 EUR
100+0.12 EUR
1000+0.07 EUR
2500+0.07 EUR
10000+0.06 EUR
20000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3731U-13 Hersteller : Diodes Zetex dmn3731u.pdf High Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3731U-13 Hersteller : Diodes Zetex dmn3731u.pdf High Enhancement Mode MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3731U-13 Hersteller : Diodes Inc dmn3731u.pdf High Enhancement Mode MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3731U-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN3731U.pdf DMN3731U-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3731U-13 DMN3731U-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMN3731U.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 900MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH