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DMN3900UFA-7B

DMN3900UFA-7B Diodes Zetex

1027dmn3900ufa.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.55A 3-Pin X2-DFN T/R
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Technische Details DMN3900UFA-7B Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN3900UFA-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 550 mA, 0.4 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 550mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 390mW, Bauform - Transistor: X2-DFN0806, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMN3900UFA-7B DMN3900UFA-7B Diodes Incorporated DMN3900UFA.pdf MOSFETs 30V N-CH MOSFET
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10+0.52 EUR
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DMN3900UFA-7B DMN3900UFA-7B Diodes Incorporated DMN3900UFA.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 550MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 390mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42.2 pF @ 25 V
auf Bestellung 14073 Stücke:
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22+0.96 EUR
36+0.58 EUR
100+0.37 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
2000+0.23 EUR
5000+0.2 EUR
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DMN3900UFA-7B DMN3900UFA-7B DIODES INC. DIODS20252-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN3900UFA-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 550 mA, 0.4 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 390mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 10000 Stücke:
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238+1.05 EUR
298+0.79 EUR
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1000+0.23 EUR
2500+0.21 EUR
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Mindestbestellmenge: 238 Stücke
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DMN3900UFA-7B DMN3900UFA-7B DIODES INC. DIODS20252-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN3900UFA-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 550 mA, 0.4 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 550mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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298+0.79 EUR
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DMN3900UFA-7B DMN3900UFA-7B Diodes Zetex 1027dmn3900ufa.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.55A 3-Pin X2-DFN T/R
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MOSFETs 30V N-CH MOSFET
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 390mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42.2 pF @ 25 V
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3900UFA-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 550 mA, 0.4 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 390mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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DMN3900UFA-7B
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3900UFA-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 550 mA, 0.4 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Dauer-Drainstrom Id: 550mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Trans MOSFET N-CH 30V 0.55A 3-Pin X2-DFN T/R
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