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DMN4036LK3-13

DMN4036LK3-13 Diodes Zetex

dmn4036lk3.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 40V 8.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details DMN4036LK3-13 Diodes Zetex

Description: MOSFET N-CH 40V 8.5A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 453 pF @ 20 V.

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DMN4036LK3-13 DMN4036LK3-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMN4036LK3.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 8.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 453 pF @ 20 V
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DMN4036LK3-13 DMN4036LK3-13 Hersteller : Diodes Incorporated DIODS12563_1-2541704.pdf MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 40V N-CHANNEL
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DMN4036LK3-13 DMN4036LK3-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMN4036LK3.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 8.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 453 pF @ 20 V
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DMN4036LK3-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN4036LK3.pdf DMN4036LK3-13 SMD N channel transistors
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DMN4036LK3-13 DMN4036LK3-13 Hersteller : Diodes Inc dmn4036lk3.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 8.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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