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DMN4060SVT-7

DMN4060SVT-7 Diodes Zetex

dmn4060svt.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 45V 4.8A 6-Pin TSOT-26 T/R
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Technische Details DMN4060SVT-7 Diodes Zetex

Description: MOSFET N-CH 45V 4.8A TSOT26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TSOT-26, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V.

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DMN4060SVT-7 DMN4060SVT-7 Hersteller : Diodes Zetex dmn4060svt.pdf Trans MOSFET N-CH 45V 4.8A 6-Pin TSOT-26 T/R
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DMN4060SVT-7 DMN4060SVT-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN4060SVT.pdf Description: MOSFET N-CH 45V 4.8A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V
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DMN4060SVT-7 DMN4060SVT-7 Hersteller : Diodes Zetex dmn4060svt.pdf Trans MOSFET N-CH 45V 4.8A 6-Pin TSOT-26 T/R
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DMN4060SVT-7 DMN4060SVT-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN4060SVT.pdf Description: MOSFET N-CH 45V 4.8A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V
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DMN4060SVT-7 DMN4060SVT-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN4060SVT.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V TSOT26 T&R 3K
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DMN4060SVT-7 DMN4060SVT-7 Hersteller : Diodes Inc dmn4060svt.pdf Trans MOSFET N-CH 45V 4.8A 6-Pin TSOT-26 T/R
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DMN4060SVT-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN4060SVT.pdf DMN4060SVT-7 SMD N channel transistors
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