DMN52D0UDM-7 Diodes Incorporated
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.12 EUR |
| 10+ | 0.76 EUR |
| 100+ | 0.49 EUR |
| 500+ | 0.31 EUR |
| 1000+ | 0.27 EUR |
| 3000+ | 0.19 EUR |
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Technische Details DMN52D0UDM-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT26 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 490mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42.4pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 10V, FET Feature: Standard, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-26.
Weitere Produktangebote DMN52D0UDM-7
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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DMN52D0UDM-7 | Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT26 T&RPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 490mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42.4pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 10V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DMN52D0UDM-7 | Diodes Zetex |
DMN52D0UDM-7 |
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| DMN52D0UDM-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 490mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42.4pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 490mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42.4pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
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| DMN52D0UDM-7 |
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Hersteller: Diodes Zetex
DMN52D0UDM-7
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