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Technische Details DMN55D0UT-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN55D0UT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 160 mA, 3.1 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-523, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 3.1ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote DMN55D0UT-7
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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DMN55D0UT-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 50V 0.16A 3-Pin SOT-523 T/R |
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DMN55D0UT-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN55D0UT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 160 mA, 3.1 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 3.1ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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DMN55D0UT-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN55D0UT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 160 mA, 3.1 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 200mW Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN55D0UT-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.16A 3-Pin SOT-523 T/R |
auf Bestellung 328 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN55D0UT-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.16A 3-Pin SOT-523 T/R |
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DMN55D0UT-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.16A 3-Pin SOT-523 T/R |
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DMN55D0UT-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.16A; 0.2W; SOT523 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.16A Power dissipation: 0.2W Case: SOT523 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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DMN55D0UT-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523 |
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DMN55D0UT-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523 |
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DMN55D0UT-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET .2W 50V .16A |
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DMN55D0UT-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.16A; 0.2W; SOT523 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.16A Power dissipation: 0.2W Case: SOT523 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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