DMN5L06DMKQ-7 DIODES INC.
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN5L06DMKQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 305 mA, 305 mA, 2 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 305mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 305mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 165+ | 1.52 EUR |
| 211+ | 1.11 EUR |
| 348+ | 0.62 EUR |
| 500+ | 0.49 EUR |
| 1000+ | 0.37 EUR |
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Technische Details DMN5L06DMKQ-7 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN5L06DMKQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 305 mA, 305 mA, 2 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 305mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 305mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 400mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: PW Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 400mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote DMN5L06DMKQ-7 nach Preis ab 0.37 EUR bis 1.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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DMN5L06DMKQ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN5L06DMKQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 305 mA, 305 mA, 2 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 305mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 305mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 400mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PW Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 400mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 2475 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN5L06DMKQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET Dual N-Ch Enh FET 50Vdss 20Vgss 400mW |
auf Bestellung 56536 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DMN5L06DMKQ-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN5L06DMKQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 305 mA, 305 mA, 2 ohm
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: DIODES INC. - DMN5L06DMKQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 305 mA, 305 mA, 2 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 305mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 305mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 165+ | 1.52 EUR |
| 211+ | 1.11 EUR |
| 348+ | 0.62 EUR |
| 500+ | 0.49 EUR |
| 1000+ | 0.37 EUR |
| DMN5L06DMKQ-7 |
Hersteller: Diodes Incorporated
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MOSFET Dual N-Ch Enh FET 50Vdss 20Vgss 400mW
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)