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DMN6022SSD-13

DMN6022SSD-13 Diodes Zetex

2906dmn6022ssd.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SO T/R
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Technische Details DMN6022SSD-13 Diodes Zetex

Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.2W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 14A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote DMN6022SSD-13 nach Preis ab 0.42 EUR bis 1.8 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DMN6022SSD-13 DMN6022SSD-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMN6022SSD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 14A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
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DMN6022SSD-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMN6022SSD-1365549.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
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DMN6022SSD-13
Produktcode: 178551
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Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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Power - Max: 1.2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 14A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
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Grade: Automotive
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