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Technische Details DMN6040SFDE-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN6040SFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.03 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.03W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.03W, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote DMN6040SFDE-7 nach Preis ab 0.19 EUR bis 1.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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DMN6040SFDE-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A 6-Pin UDFN EP T/R |
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DMN6040SFDE-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 5.3A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V |
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DMN6040SFDE-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A 6-Pin UDFN EP T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN6040SFDE-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A 6-Pin UDFN EP T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN6040SFDE-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 5.3A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V |
auf Bestellung 310521 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN6040SFDE-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 U-DFN2020-6 T&R 3K |
auf Bestellung 142304 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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DMN6040SFDE-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN6040SFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.03 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.03W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.03W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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DMN6040SFDE-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN6040SFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.03 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 MSL: MSL 1 - unbegrenzt productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 2.03W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2689 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN6040SFDE-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A 6-Pin UDFN EP T/R |
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DMN6040SFDE-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A 6-Pin UDFN EP T/R |
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| DMN6040SFDE-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.1A; Idm: 30A; 0.66W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.1A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 0.66W Case: U-DFN2020-6 Type E Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 38mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| DMN6040SFDE-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.1A; Idm: 30A; 0.66W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.1A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 0.66W Case: U-DFN2020-6 Type E Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 38mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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