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DMN6040SSD-13

DMN6040SSD-13 Diodes Zetex

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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
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Technische Details DMN6040SSD-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN6040SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 5 A, 5 A, 0.03 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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DMN6040SSD-13 DMN6040SSD-13 Diodes Incorporated DMN6040SSD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 4700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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DMN6040SSD-13 DMN6040SSD-13 DIODES INCORPORATED DMN6040SSD.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.1A; 0.8W; SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.1A
On-state resistance: 55mΩ
Power dissipation: 0.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
auf Bestellung 324 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+0.88 EUR
173+0.49 EUR
232+0.37 EUR
248+0.35 EUR
260+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
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DMN6040SSD-13 DMN6040SSD-13 Diodes Incorporated DMN6040SSD.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V SO-8 T&R 2.5K
auf Bestellung 9806 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.12 EUR
10+0.73 EUR
100+0.45 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.38 EUR
2500+0.37 EUR
5000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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DMN6040SSD-13 DMN6040SSD-13 DIODES INC. DMN6040SSD.pdf Description: DIODES INC. - DMN6040SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 5 A, 5 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
169+1.49 EUR
260+0.89 EUR
410+0.52 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
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DMN6040SSD-13 DMN6040SSD-13 Diodes Incorporated DMN6040SSD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4766 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.57 EUR
22+0.98 EUR
100+0.63 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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DMN6040SSD-13 DMN6040SSD-13 DIODES INC. DIOD-S-A0002832691-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN6040SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 5 A, 5 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
156+1.61 EUR
186+1.25 EUR
275+0.79 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
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DMN6040SSD-13 DMN6040SSD-13 Diodes Zetex 14361146227800dmn6040ssd.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
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DMN6040SSD-13 DMN6040SSD-13 Diodes Zetex 14361146227800dmn6040ssd.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
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Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
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Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 52500 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 1755000 Stücke:
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2500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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DMN6040SSD-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 1727500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2500+0.29 EUR
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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DMN6040SSD-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 175000 Stücke:
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 52500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.32 EUR
12500+0.29 EUR
25000+0.26 EUR
37500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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DMN6040SSD-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 4700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.1A; 0.8W; SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.1A
On-state resistance: 55mΩ
Power dissipation: 0.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
auf Bestellung 324 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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97+0.88 EUR
173+0.49 EUR
232+0.37 EUR
248+0.35 EUR
260+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
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DMN6040SSD-13
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V SO-8 T&R 2.5K
auf Bestellung 9806 Stücke:
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4+1.12 EUR
10+0.73 EUR
100+0.45 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.38 EUR
2500+0.37 EUR
5000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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DMN6040SSD-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN6040SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 5 A, 5 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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260+0.89 EUR
410+0.52 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
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DMN6040SSD-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
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22+0.98 EUR
100+0.63 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SSD-13 DIOD-S-A0002832691-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN6040SSD-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN6040SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 5 A, 5 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
156+1.61 EUR
186+1.25 EUR
275+0.79 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SSD-13 14361146227800dmn6040ssd.pdf
DMN6040SSD-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SSD-13 14361146227800dmn6040ssd.pdf
DMN6040SSD-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH