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DMN6040SSD-13

DMN6040SSD-13 Diodes Zetex

14361146227800dmn6040ssd.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
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Technische Details DMN6040SSD-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN6040SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 5 A, 5 A, 0.03 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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DMN6040SSD-13 DMN6040SSD-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMN6040SSD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
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DMN6040SSD-13 DMN6040SSD-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN6040SSD.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.1A; 0.8W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.1A
On-state resistance: 55mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1033 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.50 EUR
168+0.43 EUR
264+0.27 EUR
280+0.26 EUR
1300+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 143
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DMN6040SSD-13 DMN6040SSD-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN6040SSD.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.1A; 0.8W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.1A
On-state resistance: 55mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
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DMN6040SSD-13 DMN6040SSD-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMN6040SSD.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V SO-8 T&R 2.5K
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10+0.63 EUR
100+0.47 EUR
500+0.41 EUR
1000+0.38 EUR
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DMN6040SSD-13 DMN6040SSD-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMN6040SSD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
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22+0.83 EUR
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500+0.41 EUR
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DMN6040SSD-13 DMN6040SSD-13 Hersteller : Diodes Zetex 14361146227800dmn6040ssd.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
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DMN6040SSD-13 DMN6040SSD-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0002832691-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN6040SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 5 A, 5 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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DMN6040SSD-13 DMN6040SSD-13 Hersteller : Diodes Zetex 14361146227800dmn6040ssd.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
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DMN6040SSD-13 DMN6040SSD-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0002832691-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN6040SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 5 A, 5 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1375 Stücke:
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