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Technische Details DMN6040SSS-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN6040SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.5 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DMN6040SSS-13 nach Preis ab 0.14 EUR bis 0.61 EUR
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DMN6040SSS-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin SO T/R |
auf Bestellung 480000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN6040SSS-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin SO T/R |
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DMN6040SSS-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin SO T/R |
auf Bestellung 910000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN6040SSS-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin SO T/R |
auf Bestellung 847500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN6040SSS-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin SO T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN6040SSS-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 5.5A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V |
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DMN6040SSS-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V SO-8 T&R 2.5 |
auf Bestellung 4498 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN6040SSS-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 5.5A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V |
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DMN6040SSS-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin SO T/R |
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DMN6040SSS-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN6040SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.5 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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DMN6040SSS-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin SO T/R |
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DMN6040SSS-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN6040SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.5 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6040SSS-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
DMN6040SSS-13 SMD N channel transistors |
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DMN6040SSS-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin SO T/R |
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DMN6040SSS-13 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin SO T/R |
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