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DMN6040SSS-13

DMN6040SSS-13 Diodes Zetex

dmn6040sss.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin SO T/R
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Technische Details DMN6040SSS-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN6040SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.5 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMN6040SSS-13 DMN6040SSS-13 Diodes Zetex dmn6040sss.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin SO T/R
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DMN6040SSS-13 DMN6040SSS-13 Diodes Incorporated DMN6040SSS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 5.5A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 15000 Stücke:
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DMN6040SSS-13 DMN6040SSS-13 Diodes Zetex dmn6040sss.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin SO T/R
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DMN6040SSS-13 DMN6040SSS-13 Diodes Incorporated DMN6040SSS-3213932.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V SO-8 T&R 2.5
auf Bestellung 4498 Stücke:
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7+0.5 EUR
10+0.36 EUR
100+0.3 EUR
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DMN6040SSS-13 DMN6040SSS-13 Diodes Incorporated DMN6040SSS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 5.5A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 17492 Stücke:
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42+0.5 EUR
60+0.36 EUR
100+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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DMN6040SSS-13 DMN6040SSS-13 Diodes Zetex dmn6040sss.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin SO T/R
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384+0.45 EUR
388+0.43 EUR
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1000+0.19 EUR
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DMN6040SSS-13 DMN6040SSS-13 DIODES INC. DMN6040SSS.pdf Description: DIODES INC. - DMN6040SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.5 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2430 Stücke:
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388+0.64 EUR
538+0.43 EUR
654+0.33 EUR
710+0.3 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 388 Stücke
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DMN6040SSS-13 DMN6040SSS-13 DIODES INC. DMN6040SSS.pdf Description: DIODES INC. - DMN6040SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.5 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2430 Stücke:
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388+0.64 EUR
538+0.43 EUR
654+0.33 EUR
710+0.3 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 388 Stücke
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DMN6040SSS-13 DMN6040SSS-13 Diodes Zetex dmn6040sss.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 25 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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auf Bestellung 317500 Stücke:
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2500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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auf Bestellung 910000 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 910000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 847500 Stücke:
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DMN6040SSS-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 5.5A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 15000 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V SO-8 T&R 2.5
auf Bestellung 4498 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+0.36 EUR
100+0.3 EUR
2500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 5.5A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 17492 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
42+0.5 EUR
60+0.36 EUR
100+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 1527 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
276+0.63 EUR
384+0.45 EUR
388+0.43 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 276 Stücke
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DMN6040SSS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN6040SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.5 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2430 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
388+0.64 EUR
538+0.43 EUR
654+0.33 EUR
710+0.3 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 388 Stücke
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DMN6040SSS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN6040SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.5 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
388+0.64 EUR
538+0.43 EUR
654+0.33 EUR
710+0.3 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 388 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 25 Stücke:
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