DMN6040SVTQ-13 Diodes Zetex
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Technische Details DMN6040SVTQ-13 Diodes Zetex
Description: MOSFET N-CH 60V 5A TSOT26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TSOT-26, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote DMN6040SVTQ-13 nach Preis ab 0.26 EUR bis 1.04 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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DMN6040SVTQ-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R |
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DMN6040SVTQ-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs 60V Dual N-Ch FET 44mOhm 10V 5.0A |
auf Bestellung 9290 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN6040SVTQ-13 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive 6-Pin TSOT-26 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMN6040SVTQ-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DMN6040SVTQ-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
DMN6040SVTQ-13 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMN6040SVTQ-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 5A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V |
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