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DMN6068LK3-13

DMN6068LK3-13 Diodes Zetex

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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 22500 Stücke:
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Technische Details DMN6068LK3-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN6068LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.068 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85364190, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 4.12W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.12W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMN6068LK3-13 DMN6068LK3-13 Diodes Zetex 42dmn6068lk3.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 235000 Stücke:
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2500+0.27 EUR
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DMN6068LK3-13 DMN6068LK3-13 Diodes Zetex 42dmn6068lk3.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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DMN6068LK3-13 DMN6068LK3-13 Diodes Zetex 42dmn6068lk3.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.33 EUR
5000+0.3 EUR
10000+0.27 EUR
15000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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DMN6068LK3-13 DMN6068LK3-13 Diodes Zetex 42dmn6068lk3.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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DMN6068LK3-13 DMN6068LK3-13 Diodes Incorporated DMN6068LK3.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502 pF @ 30 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.42 EUR
5000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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DMN6068LK3-13 DMN6068LK3-13 Diodes Incorporated DMN6068LK3.pdf MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 60V N-CHANNEL
auf Bestellung 67211 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.07 EUR
10+0.93 EUR
100+0.64 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.4 EUR
2500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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DMN6068LK3-13 DMN6068LK3-13 DIODES INC. 2814409.pdf Description: DIODES INC. - DMN6068LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.068 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85364190
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.12W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3759 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
164+1.52 EUR
223+1.05 EUR
305+0.7 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
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DMN6068LK3-13 DMN6068LK3-13 DIODES INC. 2814409.pdf Description: DIODES INC. - DMN6068LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.068 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85364190
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 4.12W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.12W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3759 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
164+1.52 EUR
223+1.05 EUR
305+0.7 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
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DMN6068LK3-13 DMN6068LK3-13 Diodes Incorporated DMN6068LK3.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502 pF @ 30 V
auf Bestellung 22400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.82 EUR
19+1.13 EUR
100+0.74 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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DMN6068LK3-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 235000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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DMN6068LK3-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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DMN6068LK3-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.33 EUR
5000+0.3 EUR
10000+0.27 EUR
15000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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DMN6068LK3-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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DMN6068LK3-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502 pF @ 30 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.42 EUR
5000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 60V N-CHANNEL
auf Bestellung 67211 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+1.07 EUR
10+0.93 EUR
100+0.64 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.4 EUR
2500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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DMN6068LK3-13 2814409.pdf
DMN6068LK3-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN6068LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.068 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85364190
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.12W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3759 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
164+1.52 EUR
223+1.05 EUR
305+0.7 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6068LK3-13 2814409.pdf
DMN6068LK3-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN6068LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.068 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85364190
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 4.12W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.12W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3759 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
164+1.52 EUR
223+1.05 EUR
305+0.7 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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DMN6068LK3-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502 pF @ 30 V
auf Bestellung 22400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+1.82 EUR
19+1.13 EUR
100+0.74 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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