Produkte > DIODES ZETEX > DMN6075S-13
DMN6075S-13

DMN6075S-13 Diodes Zetex


922766367128766dmn6075s.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 100000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10000+0.07 EUR
20000+0.07 EUR
30000+0.06 EUR
50000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details DMN6075S-13 Diodes Zetex

Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V.

Weitere Produktangebote DMN6075S-13 nach Preis ab 0.07 EUR bis 0.67 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DMN6075S-13 DMN6075S-13 Hersteller : Diodes Zetex 922766367128766dmn6075s.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1000000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6075S-13 DMN6075S-13 Hersteller : Diodes Zetex 922766367128766dmn6075s.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10000+0.08 EUR
20000+0.08 EUR
30000+0.08 EUR
50000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6075S-13 DMN6075S-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMN6075S.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V
auf Bestellung 9519 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+0.60 EUR
50+0.36 EUR
120+0.15 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
2000+0.12 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6075S-13 DMN6075S-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMN6075S.pdf MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 0.8W 600pF
auf Bestellung 9470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+0.67 EUR
10+0.47 EUR
100+0.19 EUR
1000+0.12 EUR
2500+0.11 EUR
10000+0.10 EUR
20000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6075S-13 DMN6075S-13 Hersteller : Diodes Inc 922766367128766dmn6075s.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6075S-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN6075S.pdf DMN6075S-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6075S-13 DMN6075S-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMN6075S.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH