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DMN6075S-7

DMN6075S-7 Diodes Zetex

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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details DMN6075S-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN6075S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMN6075S-7 DMN6075S-7 Diodes Zetex 922766367128766dmn6075s.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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3000+0.099 EUR
9000+0.086 EUR
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DMN6075S-7 DMN6075S-7 Diodes Zetex 922766367128766dmn6075s.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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3000+0.099 EUR
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DMN6075S-7 DMN6075S-7 Diodes Zetex 922766367128766dmn6075s.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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DMN6075S-7 DMN6075S-7 Diodes Zetex 922766367128766dmn6075s.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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DMN6075S-7 DMN6075S-7 Diodes Zetex 922766367128766dmn6075s.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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DMN6075S-7 DMN6075S-7 Diodes Incorporated DMN6075S.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
9000+0.12 EUR
15000+0.11 EUR
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DMN6075S-7 DMN6075S-7 Diodes Zetex 922766367128766dmn6075s.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DMN6075S-7 DMN6075S-7 Diodes Incorporated DMN6075S.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V
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33+0.65 EUR
53+0.39 EUR
100+0.25 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
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DMN6075S-7 DMN6075S-7 Diodes Incorporated DMN6075S.pdf MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 0.8W 600pF
auf Bestellung 144548 Stücke:
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6+0.67 EUR
10+0.46 EUR
100+0.19 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.13 EUR
9000+0.11 EUR
24000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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DMN6075S-7 DMN6075S-7 DIODES INC. DMN6075S.pdf Description: DIODES INC. - DMN6075S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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261+0.96 EUR
426+0.55 EUR
676+0.32 EUR
918+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 261 Stücke
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DMN6075S-7 DMN6075S-7 DIODES INCORPORATED DMN6075S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.5A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 81 Stücke:
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81+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
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DMN6075S-7 Diodes INC. DMN6075S.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 1,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 606 @ 20, 1, Qg, нКл = 12,3, Rds = 75 мОм, Ugs(th) = 1...3 В, Р, Вт = 1,15, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 564000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.099 EUR
9000+0.086 EUR
24000+0.081 EUR
45000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DMN6075S-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 564000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.099 EUR
9000+0.084 EUR
24000+0.079 EUR
45000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.11 EUR
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DMN6075S-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
9000+0.12 EUR
15000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DMN6075S-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DMN6075S-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V
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53+0.39 EUR
100+0.25 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 0.8W 600pF
auf Bestellung 144548 Stücke:
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100+0.19 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.13 EUR
9000+0.11 EUR
24000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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DMN6075S-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN6075S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1218 Stücke:
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261+0.96 EUR
426+0.55 EUR
676+0.32 EUR
918+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 261 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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DMN6075S-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.5A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 81 Stücke:
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81+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: Diodes INC.
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 1,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 606 @ 20, 1, Qg, нКл = 12,3, Rds = 75 мОм, Ugs(th) = 1...3 В, Р, Вт = 1,15, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 5 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH