DMN61D9UDWQ-7 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.318A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 370mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 318mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details DMN61D9UDWQ-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN61D9UDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 318 mA, 318 mA, 1.4 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 318mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 318mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.4ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 440mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 440mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DMN61D9UDWQ-7 nach Preis ab 0.04 EUR bis 0.49 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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DMN61D9UDWQ-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.318A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 370mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 318mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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DMN61D9UDWQ-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN61D9UDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 318 mA, 318 mA, 1.4 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 318mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 318mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.4ohm Verlustleistung, p-Kanal: 440mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 440mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3065 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN61D9UDWQ-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.318A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R |
auf Bestellung 111000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN61D9UDWQ-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.318A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN61D9UDWQ-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.318A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN61D9UDWQ-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.318A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R |
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