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Technische Details DMN61D9UW-7 Diodes Zetex
Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V, Power Dissipation (Max): 320mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V.
Weitere Produktangebote DMN61D9UW-7 nach Preis ab 0.07 EUR bis 0.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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DMN61D9UW-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
 MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A |
auf Bestellung 9179 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN61D9UW-7 | Hersteller : Diodes Inc |
60V N Channel Enhancement Mode MOSFET |
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DMN61D9UW-7 Produktcode: 127397
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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DMN61D9UW-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 320mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V |
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