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Technische Details DMN62D0U-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN62D0U-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 380mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 380mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm.
Weitere Produktangebote DMN62D0U-13 nach Preis ab 0.065 EUR bis 0.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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DMN62D0U-13 | Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN62D0U-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 380mW (Ta) |
auf Bestellung 80000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN62D0U-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A |
auf Bestellung 105694 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN62D0U-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN62D0U-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 380mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 380mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 380mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm |
auf Bestellung 61340 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN62D0U-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 380mW (Ta) |
auf Bestellung 96419 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN62D0U-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN62D0U-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 380mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 380mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 53035 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN62D0U-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DMN62D0U-13 |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10000+ | 0.073 EUR |
| DMN62D0U-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10000+ | 0.081 EUR |
| 30000+ | 0.079 EUR |
| 50000+ | 0.071 EUR |
| DMN62D0U-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
auf Bestellung 105694 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11+ | 0.33 EUR |
| 23+ | 0.14 EUR |
| 100+ | 0.096 EUR |
| 1000+ | 0.082 EUR |
| 2500+ | 0.074 EUR |
| 10000+ | 0.069 EUR |
| 20000+ | 0.065 EUR |
| DMN62D0U-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN62D0U-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 380mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
Description: DIODES INC. - DMN62D0U-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 380mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
auf Bestellung 61340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 0.5 EUR |
| 1109+ | 0.19 EUR |
| 1448+ | 0.14 EUR |
| 2088+ | 0.1 EUR |
| 5000+ | 0.1 EUR |
| DMN62D0U-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
auf Bestellung 96419 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 34+ | 0.63 EUR |
| 50+ | 0.43 EUR |
| 101+ | 0.2 EUR |
| 500+ | 0.18 EUR |
| 1000+ | 0.12 EUR |
| 2000+ | 0.1 EUR |
| 5000+ | 0.096 EUR |
| DMN62D0U-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN62D0U-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMN62D0U-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 53035 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 332+ | 0.75 EUR |
| 544+ | 0.43 EUR |
| 1180+ | 0.18 EUR |
| 1938+ | 0.11 EUR |
| 5000+ | 0.1 EUR |
| DMN62D0U-13 |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)