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DMN62D1LFB-7B транзистор

Produktcode: 221985
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Transistoren > MOSFET N-CH

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DMN62D1LFB-7B DMN62D1LFB-7B Diodes Zetex dmn62d1lfb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
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DMN62D1LFB-7B DMN62D1LFB-7B Diodes Incorporated DMN62D1LFB.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64 pF @ 25 V
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DMN62D1LFB-7B DMN62D1LFB-7B Diodes Zetex dmn62d1lfb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
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951+0.18 EUR
1019+0.17 EUR
1590+0.1 EUR
3000+0.099 EUR
6000+0.076 EUR
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516+0.32 EUR
522+0.31 EUR
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960+0.15 EUR
1019+0.14 EUR
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DMN62D1LFB-7B DMN62D1LFB-7B Diodes Incorporated DMN62D1LFB.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64 pF @ 25 V
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30+0.71 EUR
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DMN62D1LFB-7B DMN62D1LFB-7B Diodes Incorporated DIOD_S_A0005038948_1-2542523.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V X1-DFN1006-3 T&R 10K
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DMN62D1LFB-7B DMN62D1LFB-7B DIODES INC. DIOD-S-A0005038948-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN62D1LFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 407 mA, 1.3 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 407mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1055 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+0.83 EUR
488+0.48 EUR
776+0.27 EUR
1050+0.2 EUR
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DMN62D1LFB-7B DMN62D1LFB-7B DIODES INC. DIOD-S-A0005038948-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN62D1LFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 407 mA, 1.3 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 407mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1055 Stücke:
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DMN62D1LFB-7B
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
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DMN62D1LFB-7B
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
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20000+0.079 EUR
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DMN62D1LFB-7B
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10000+0.093 EUR
20000+0.083 EUR
50000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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DMN62D1LFB-7B
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
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10000+0.093 EUR
20000+0.083 EUR
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DMN62D1LFB-7B
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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10000+0.093 EUR
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DMN62D1LFB-7B
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
10000+0.096 EUR
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DMN62D1LFB-7B
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
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10000+0.099 EUR
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DMN62D1LFB-7B
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
10000+0.099 EUR
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DMN62D1LFB-7B
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64 pF @ 25 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10000+0.13 EUR
20000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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DMN62D1LFB-7B dmn62d1lfb.pdf
DMN62D1LFB-7B
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
auf Bestellung 8179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
951+0.18 EUR
1019+0.17 EUR
1590+0.1 EUR
3000+0.099 EUR
6000+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 951 Stücke
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DMN62D1LFB-7B dmn62d1lfb.pdf
DMN62D1LFB-7B
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
auf Bestellung 8179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
386+0.45 EUR
516+0.32 EUR
522+0.31 EUR
951+0.17 EUR
960+0.15 EUR
1019+0.14 EUR
1590+0.086 EUR
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6000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 386 Stücke
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DMN62D1LFB-7B DMN62D1LFB.pdf
DMN62D1LFB-7B
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64 pF @ 25 V
auf Bestellung 27457 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+0.71 EUR
48+0.44 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.17 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN62D1LFB-7B DIOD_S_A0005038948_1-2542523.pdf
DMN62D1LFB-7B
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V X1-DFN1006-3 T&R 10K
auf Bestellung 36166 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+0.77 EUR
10+0.51 EUR
100+0.23 EUR
1000+0.14 EUR
2500+0.13 EUR
10000+0.12 EUR
20000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN62D1LFB-7B DIOD-S-A0005038948-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN62D1LFB-7B
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN62D1LFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 407 mA, 1.3 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 407mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1055 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
300+0.83 EUR
488+0.48 EUR
776+0.27 EUR
1050+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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DMN62D1LFB-7B DIOD-S-A0005038948-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN62D1LFB-7B
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN62D1LFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 407 mA, 1.3 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 407mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1055 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
300+0.83 EUR
488+0.48 EUR
776+0.27 EUR
1050+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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