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DMN62D1LFB-7B

DMN62D1LFB-7B Diodes Zetex

dmn62d1lfb.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
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Technische Details DMN62D1LFB-7B Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN62D1LFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 407 mA, 1.3 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 407mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: X1-DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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DMN62D1LFB-7B DMN62D1LFB-7B Hersteller : Diodes Zetex dmn62d1lfb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
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DMN62D1LFB-7B DMN62D1LFB-7B Hersteller : Diodes Zetex dmn62d1lfb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
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DMN62D1LFB-7B DMN62D1LFB-7B Hersteller : Diodes Incorporated DMN62D1LFB.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64 pF @ 25 V
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DMN62D1LFB-7B DMN62D1LFB-7B Hersteller : Diodes Zetex dmn62d1lfb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
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3000+0.076 EUR
6000+0.057 EUR
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DMN62D1LFB-7B DMN62D1LFB-7B Hersteller : Diodes Zetex dmn62d1lfb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
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386+0.37 EUR
516+0.27 EUR
522+0.26 EUR
951+0.14 EUR
960+0.13 EUR
1019+0.12 EUR
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DMN62D1LFB-7B DMN62D1LFB-7B Hersteller : Diodes Incorporated DMN62D1LFB.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64 pF @ 25 V
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64+0.28 EUR
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DMN62D1LFB-7B DMN62D1LFB-7B Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0005038948_1-2542523.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V X1-DFN1006-3 T&R 10K
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10+0.43 EUR
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1000+0.12 EUR
2500+0.11 EUR
10000+0.097 EUR
20000+0.09 EUR
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DMN62D1LFB-7B DMN62D1LFB-7B Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0005038948-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN62D1LFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 407 mA, 1.3 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 407mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1055 Stücke:
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DMN62D1LFB-7B DMN62D1LFB-7B Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0005038948-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN62D1LFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 407 mA, 1.3 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 407mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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DMN62D1LFB-7B DMN62D1LFB-7B Hersteller : Diodes Inc dmn62d1lfb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R
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