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DMN62D1LFD-7

DMN62D1LFD-7 Diodes Incorporated

DMN62D1LFD.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
auf Bestellung 1062000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.096 EUR
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Technische Details DMN62D1LFD-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN62D1LFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 0.8 ohm, U-DFN1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: U-DFN1212, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMN62D1LFD-7 DMN62D1LFD-7 Diodes Incorporated DMN62D1LFD.pdf MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 0.4A 32pF
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21+0.17 EUR
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DMN62D1LFD-7 DMN62D1LFD-7 Diodes Incorporated DMN62D1LFD.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
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91+0.23 EUR
125+0.17 EUR
172+0.12 EUR
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DMN62D1LFD-7 DMN62D1LFD-7 DIODES INC. DMN62D1LFD.pdf Description: DIODES INC. - DMN62D1LFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 0.8 ohm, U-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: U-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
553+0.45 EUR
820+0.29 EUR
1380+0.15 EUR
1456+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 553 Stücke
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DMN62D1LFD-7 DMN62D1LFD-7 DIODES INC. DMN62D1LFD.pdf Description: DIODES INC. - DMN62D1LFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 0.8 ohm, U-DFN1212, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: U-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMN62D1LFD-7 Diodes Zetex dmn62d1lfd.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R
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DMN62D1LFD-7 Diodes Zetex dmn62d1lfd.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R
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DMN62D1LFD-7 Diodes Zetex dmn62d1lfd.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R
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DMN62D1LFD-7
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MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 0.4A 32pF
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DMN62D1LFD-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
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Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
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DMN62D1LFD-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN62D1LFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 0.8 ohm, U-DFN1212, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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1456+0.14 EUR
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DMN62D1LFD-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN62D1LFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 0.8 ohm, U-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: U-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R
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3402+0.049 EUR
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R
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777+0.21 EUR
788+0.2 EUR
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R
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