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DMN62D1LFDQ-7

DMN62D1LFDQ-7 Diodes Incorporated

DMN62D1LFDQ.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN1212-3 (Type C)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.18 EUR
6000+0.17 EUR
9000+0.15 EUR
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Technische Details DMN62D1LFDQ-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN62D1LFDQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 0.8 ohm, U-DFN1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: U-DFN1212, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMN62D1LFDQ-7 DMN62D1LFDQ-7 Diodes Incorporated DMN62D1LFDQ.pdf MOSFETs 2N7002 Family
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5+0.83 EUR
10+0.51 EUR
100+0.27 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.2 EUR
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DMN62D1LFDQ-7 DMN62D1LFDQ-7 Diodes Incorporated DMN62D1LFDQ.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN T&R 3
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.55 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: U-DFN1212-3 (Type C)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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25+0.86 EUR
40+0.52 EUR
100+0.33 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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DMN62D1LFDQ-7 DMN62D1LFDQ-7 DIODES INC. DMN62D1LFDQ.pdf Description: DIODES INC. - DMN62D1LFDQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 0.8 ohm, U-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: U-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
262+0.95 EUR
407+0.57 EUR
788+0.27 EUR
841+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 262 Stücke
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DMN62D1LFDQ-7 DMN62D1LFDQ-7 DIODES INC. DMN62D1LFDQ.pdf Description: DIODES INC. - DMN62D1LFDQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 0.8 ohm, U-DFN1212, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: U-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMN62D1LFDQ-7 Diodes Zetex dmn62d1lfdq2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin UDFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.12 EUR
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DMN62D1LFDQ-7 Diodes Zetex dmn62d1lfdq2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin UDFN EP T/R
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DMN62D1LFDQ-7 Diodes Zetex dmn62d1lfdq2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin UDFN EP T/R
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DMN62D1LFDQ-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN T&R 3
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.55 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: U-DFN1212-3 (Type C)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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DMN62D1LFDQ-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN62D1LFDQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 0.8 ohm, U-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
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Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: U-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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Description: DIODES INC. - DMN62D1LFDQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 0.8 ohm, U-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: U-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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3000+0.12 EUR
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin UDFN EP T/R
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin UDFN EP T/R
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