DMN63D1L-13 Diodes Incorporated
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Technische Details DMN63D1L-13 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.2A; 560mW; SOT23, Case: SOT23, Mounting: SMD, Kind of package: 13 inch reel; tape, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Pulsed drain current: 1.2A, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 0.34A, Gate charge: 304pC, On-state resistance: 3Ω, Power dissipation: 0.56W, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V.
Weitere Produktangebote DMN63D1L-13
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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DMN63D1L-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
 MOSFET MOSFET BVDSS |
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DMN63D1L-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.2A; 560mW; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Pulsed drain current: 1.2A Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.34A Gate charge: 304pC On-state resistance: 3Ω Power dissipation: 0.56W Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V |
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