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DMN63D8LW-7

DMN63D8LW-7 Diodes Zetex

1067dmn63d8lw.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R
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Technische Details DMN63D8LW-7 Diodes Zetex

Description: MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V, Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V.

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DMN63D8LW-7 DMN63D8LW-7 Hersteller : Diodes Zetex 1067dmn63d8lw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R
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DMN63D8LW-7 DMN63D8LW-7 Hersteller : Diodes Zetex 1067dmn63d8lw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R
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DMN63D8LW-7 DMN63D8LW-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN63D8LW.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V
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DMN63D8LW-7 DMN63D8LW-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN63D8LW.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V
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DMN63D8LW-7 DMN63D8LW-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN63D8LW.pdf MOSFET 30V N-Ch Enh FET 20Vgss 300mA 1.2A
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DMN63D8LW-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN63D8LW.pdf DMN63D8LW-7 SMD N channel transistors
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