Produkte > DIODES INCORPORATED > DMN65D9L-7
DMN65D9L-7

DMN65D9L-7 Diodes Incorporated

DMN65D9L.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 335MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 335mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V
auf Bestellung 186000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.05 EUR
6000+0.04 EUR
9000+0.04 EUR
21000+0.04 EUR
30000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details DMN65D9L-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN65D9L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 335 mA, 3.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 335mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 270mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Weitere Produktangebote DMN65D9L-7 nach Preis ab 0.03 EUR bis 0.32 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DMN65D9L-7 DMN65D9L-7 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0012955653_1-2513198.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT23 T&R 3K
auf Bestellung 15690 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+0.21 EUR
19+0.15 EUR
100+0.08 EUR
1000+0.07 EUR
3000+0.04 EUR
9000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D9L-7 DMN65D9L-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN65D9L.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 335MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 335mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V
auf Bestellung 197780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
56+0.32 EUR
89+0.20 EUR
144+0.12 EUR
500+0.09 EUR
1000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D9L-7 DMN65D9L-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0012955653-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN65D9L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 335 mA, 3.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 335mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D9L-7 DMN65D9L-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0012955653-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN65D9L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 335 mA, 3.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 335mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D9L-7 Hersteller : Diodes Zetex DMN65D9L.pdf DMN65D9L-7
auf Bestellung 180000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D9L-7 Hersteller : Diodes Inc dmn65d9l.pdf N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D9L-7 Hersteller : Diodes Zetex DMN65D9L.pdf DMN65D9L-7
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH