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DMN67D8LW-7

DMN67D8LW-7 Diodes Zetex

1071dmn67d8lw.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-323 T/R
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Technische Details DMN67D8LW-7 Diodes Zetex

Description: MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 320mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMN67D8LW-7 DMN67D8LW-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN67D8LW.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
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DMN67D8LW-7 DMN67D8LW-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN67D8LW.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
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DMN67D8LW-7 DMN67D8LW-7 Hersteller : Diodes Inc 1071dmn67d8lw.pdf N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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DMN67D8LW-7 DMN67D8LW-7 Hersteller : Diodes Zetex 1071dmn67d8lw.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-323 T/R
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DMN67D8LW-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN67D8LW.pdf DMN67D8LW-7 SMD N channel transistors
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DMN67D8LW-7 DMN67D8LW-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN67D8LW.pdf MOSFET MOSFET BVDSS
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