DMN7022LFG-7 DIODES INC.
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN7022LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 7.8 A, 0.0146 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 900mW
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0146ohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 93+ | 2.7 EUR |
| 187+ | 1.25 EUR |
| 272+ | 0.79 EUR |
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Technische Details DMN7022LFG-7 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN7022LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 7.8 A, 0.0146 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 900mW, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018), Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0146ohm.
Weitere Produktangebote DMN7022LFG-7
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
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DMN7022LFG-7 | Diodes Incorporated |
MOSFET 75V N-Ch Enh FET 20Vgs 10.5A 2737pF |
auf Bestellung 275 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DMN7022LFG-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWRDI3333-8 |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DMN7022LFG-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN7022LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 7.8 A, 0.0146 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 900mW SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0146ohm |
auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 350 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DMN7022LFG-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWRDI3333-8 |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DMN7022LFG-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFET 75V N-Ch Enh FET 20Vgs 10.5A 2737pF
MOSFET 75V N-Ch Enh FET 20Vgs 10.5A 2737pF
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| DMN7022LFG-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWRDI3333-8
Description: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWRDI3333-8
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| DMN7022LFG-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN7022LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 7.8 A, 0.0146 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
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Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0146ohm
Description: DIODES INC. - DMN7022LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 7.8 A, 0.0146 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 75V
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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Bauform - Transistor: PowerDI 3333
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0146ohm
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMN7022LFG-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWRDI3333-8
Description: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWRDI3333-8
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)