DMNH4011SK3Q-13 DIODES INC.
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMNH4011SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.6W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.73 EUR |
| 500+ | 2.51 EUR |
| 1000+ | 2.13 EUR |
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Technische Details DMNH4011SK3Q-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMNH4011SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 2.6W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm.
Weitere Produktangebote DMNH4011SK3Q-13 nach Preis ab 0.95 EUR bis 5.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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DMNH4011SK3Q-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs 40V N-Ch Enh FET 175c 20Vgss 2.6W |
auf Bestellung 934 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMNH4011SK3Q-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMNH4011SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 2.6W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm |
auf Bestellung 2410 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMNH4011SK3Q-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 40V N-Ch Enh FET 175c 20Vgss 2.6W
MOSFETs 40V N-Ch Enh FET 175c 20Vgss 2.6W
auf Bestellung 934 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.69 EUR |
| 10+ | 2.67 EUR |
| 1000+ | 1.33 EUR |
| 2500+ | 0.98 EUR |
| 10000+ | 0.95 EUR |
| DMNH4011SK3Q-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMNH4011SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
Description: DIODES INC. - DMNH4011SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Qualifikation: AEC-Q101
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
auf Bestellung 2410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 42+ | 5.97 EUR |
| 65+ | 3.57 EUR |
| 100+ | 2.73 EUR |
| 500+ | 2.51 EUR |
| 1000+ | 2.13 EUR |