| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 1.86 EUR |
| 10+ | 1.51 EUR |
| 100+ | 1.08 EUR |
| 500+ | 0.88 EUR |
| 1000+ | 0.81 EUR |
| 2500+ | 0.74 EUR |
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Technische Details DMNH4011SPSQ-13 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 90A; 2.5W, Type of transistor: N-MOSFET, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 10.8A, Power dissipation: 2.5W, Case: PowerDI5060-8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 10mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Kind of package: 13 inch reel; tape, Pulsed drain current: 90A, Application: automotive industry, Polarisation: unipolar, Gate charge: 25.5nC.
Weitere Produktangebote DMNH4011SPSQ-13
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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DMNH4011SPSQ-13 | Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 40V PWRDI5060 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DMNH4011SPSQ-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 40V PWRDI5060 |
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| DMNH4011SPSQ-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 90A; 2.5W Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 40V Drain current: 10.8A Power dissipation: 2.5W Case: PowerDI5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: 13 inch reel; tape Pulsed drain current: 90A Application: automotive industry Polarisation: unipolar Gate charge: 25.5nC |
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| DMNH4011SPSQ-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V PWRDI5060
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| DMNH4011SPSQ-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V PWRDI5060
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| DMNH4011SPSQ-13 |
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 90A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: 13 inch reel; tape
Pulsed drain current: 90A
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25.5nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 90A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: 13 inch reel; tape
Pulsed drain current: 90A
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
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