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DMNH6008SCT

DMNH6008SCT DIODES INCORPORATED

DMNH6008SCT.pdf Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; Idm: 200A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.53 EUR
40+1.83 EUR
54+1.34 EUR
57+1.26 EUR
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Technische Details DMNH6008SCT DIODES INCORPORATED

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; Idm: 200A; 100W; TO220AB, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 90A, Pulsed drain current: 200A, Power dissipation: 100W, Case: TO220AB, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 6mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 21nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMNH6008SCT DMNH6008SCT Hersteller : DIODES INCORPORATED DMNH6008SCT.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; Idm: 200A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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DMNH6008SCT DMNH6008SCT Hersteller : Diodes Incorporated DMNH6008SCT.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB
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DMNH6008SCT DMNH6008SCT Hersteller : Diodes Incorporated DMNH6008SCT.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
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