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DMP10H400SE-13

DMP10H400SE-13 Diodes Incorporated

DMP10H400SE.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 13.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 25 V
auf Bestellung 13193 Stücke:
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AnzahlPreis
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Technische Details DMP10H400SE-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMP10H400SE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.203ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote DMP10H400SE-13 nach Preis ab 0.33 EUR bis 1.76 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
DMP10H400SE-13 DMP10H400SE-13 Diodes Incorporated DMP10H400SE.pdf MOSFETs 100V P-Ch Enh FET 250mOhm -2.3A
auf Bestellung 5953 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.27 EUR
10+0.88 EUR
100+0.58 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.43 EUR
2500+0.35 EUR
5000+0.33 EUR
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DMP10H400SE-13 DMP10H400SE-13 Diodes Incorporated DMP10H400SE.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 13.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 25 V
auf Bestellung 14964 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.76 EUR
16+1.11 EUR
100+0.73 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
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DMP10H400SE-13 DMP10H400SE-13 DIODES INC. DMP10H400SE.pdf Description: DIODES INC. - DMP10H400SE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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DMP10H400SE-13 DMP10H400SE-13 DIODES INC. DMP10H400SE.pdf Description: DIODES INC. - DMP10H400SE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 6A
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Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.203ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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DMP10H400SE-13 Diodes DMP10H400SE.pdf MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223 Транзистори
auf Bestellung 49 Stücke:
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DMP10H400SE-13
Hersteller: Diodes Incorporated
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100+0.58 EUR
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DMP10H400SE-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 13.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 25 V
auf Bestellung 14964 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+1.76 EUR
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DMP10H400SE-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP10H400SE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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DMP10H400SE-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP10H400SE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.203ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP10H400SE-13 DMP10H400SE.pdf
Hersteller: Diodes
MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223 Транзистори
auf Bestellung 49 Stücke:
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