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DMP10H400SK3-13

DMP10H400SK3-13 Diodes Zetex

83dmp10h400sk3.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details DMP10H400SK3-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMP10H400SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 9 A, 0.19 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 42W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm.

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DMP10H400SK3-13 DMP10H400SK3-13 Hersteller : Diodes Zetex 83dmp10h400sk3.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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DMP10H400SK3-13 DMP10H400SK3-13 Hersteller : Diodes Zetex 83dmp10h400sk3.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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DMP10H400SK3-13 DMP10H400SK3-13 Hersteller : Diodes Zetex 83dmp10h400sk3.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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DMP10H400SK3-13 DMP10H400SK3-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMP10H400SK3.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 25 V
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DMP10H400SK3-13 DMP10H400SK3-13 Hersteller : Diodes Zetex 83dmp10h400sk3.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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DMP10H400SK3-13 DMP10H400SK3-13 Hersteller : Diodes Zetex 83dmp10h400sk3.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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1000+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 166
DMP10H400SK3-13 DMP10H400SK3-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMP10H400SK3.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 25 V
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20+ 0.92 EUR
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DMP10H400SK3-13 DMP10H400SK3-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMP10H400SK3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8A; 42W; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -8A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis ohne MwSt
61+1.17 EUR
147+ 0.49 EUR
167+ 0.43 EUR
192+ 0.37 EUR
203+ 0.35 EUR
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DMP10H400SK3-13 DMP10H400SK3-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMP10H400SK3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8A; 42W; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -8A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -100V
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147+ 0.49 EUR
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DMP10H400SK3-13 DMP10H400SK3-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMP10H400SK3.pdf MOSFET 100V P-CH MOSFET
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43+ 1.23 EUR
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500+ 0.75 EUR
1000+ 0.58 EUR
2500+ 0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 35
DMP10H400SK3-13 DMP10H400SK3-13 Hersteller : DIODES INC. 2814418.pdf Description: DIODES INC. - DMP10H400SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 9 A, 0.19 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
auf Bestellung 7701 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DMP10H400SK3-13 DMP10H400SK3-13 Hersteller : DIODES INC. 2814418.pdf Description: DIODES INC. - DMP10H400SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 9 A, 0.19 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
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DMP10H400SK3-13 DMP10H400SK3-13 Hersteller : Diodes Inc 83dmp10h400sk3.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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