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DMP10H400SK3-13

DMP10H400SK3-13 Diodes Zetex

83dmp10h400sk3.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details DMP10H400SK3-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMP10H400SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 9 A, 0.19 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 42W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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DMP10H400SK3-13 DMP10H400SK3-13 Hersteller : Diodes Zetex 83dmp10h400sk3.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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DMP10H400SK3-13 DMP10H400SK3-13 Hersteller : Diodes Zetex 83dmp10h400sk3.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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DMP10H400SK3-13 DMP10H400SK3-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMP10H400SK3.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 25 V
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DMP10H400SK3-13 DMP10H400SK3-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMP10H400SK3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8A; 42W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8A
Power dissipation: 42W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1356 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
122+0.59 EUR
155+0.46 EUR
195+0.37 EUR
206+0.35 EUR
500+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 122
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DMP10H400SK3-13 DMP10H400SK3-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMP10H400SK3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8A; 42W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8A
Power dissipation: 42W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
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DMP10H400SK3-13 DMP10H400SK3-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMP10H400SK3.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 25 V
auf Bestellung 59575 Stücke:
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Anzahl Preis
19+0.93 EUR
21+0.85 EUR
100+0.46 EUR
500+0.41 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 19
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DMP10H400SK3-13 DMP10H400SK3-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMP10H400SK3.pdf MOSFETs 100V P-CH MOSFET
auf Bestellung 174577 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.00 EUR
10+0.95 EUR
25+0.87 EUR
100+0.55 EUR
250+0.45 EUR
500+0.40 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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DMP10H400SK3-13 DMP10H400SK3-13 Hersteller : DIODES INC. 2814418.pdf Description: DIODES INC. - DMP10H400SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 9 A, 0.19 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMP10H400SK3-13 DMP10H400SK3-13 Hersteller : DIODES INC. 2814418.pdf Description: DIODES INC. - DMP10H400SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 9 A, 0.19 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMP10H400SK3-13 DMP10H400SK3-13 Hersteller : Diodes Inc 83dmp10h400sk3.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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