auf Bestellung 225000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.076 EUR |
| 9000+ | 0.063 EUR |
| 99000+ | 0.06 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details DMP10H4D2S-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMP10H4D2S-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 270 mA, 4.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 270mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 380mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DMP10H4D2S-7 nach Preis ab 0.06 EUR bis 0.67 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMP10H4D2S-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 225000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP10H4D2S-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP10H4D2S-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP10H4D2S-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP10H4D2S-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP10H4D2S-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 380mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 25 V |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP10H4D2S-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 380mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 25 V |
auf Bestellung 6648 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP10H4D2S-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs P-Ch Enh Mode FET 100V 20Vgss 87pF |
auf Bestellung 99163 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP10H4D2S-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP10H4D2S-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 270 mA, 4.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 380mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3749 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
DMP10H4D2S-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP10H4D2S-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 270 mA, 4.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 380mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 380mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 974 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
| DMP10H4D2S-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
DMP10H4D2S-7 SMD P channel transistors |
auf Bestellung 2565 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
 |
DMP10H4D2S-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |