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DMP10H4D2S-7 Diodes Zetex

Name: DMP10H4D2S-7
Brand: Diodes Zetex
SKU: 563584-5
Price: 228 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R

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Technische Details DMP10H4D2S-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMP10H4D2S-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 270 mA, 4.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 270mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 380mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote DMP10H4D2S-7 nach Preis ab 0.06 EUR bis 0.67 EUR

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DMP10H4D2S-7

Hersteller : Diodes Zetex

Trans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R

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DMP10H4D2S-7

Hersteller : Diodes Zetex

Trans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R

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DMP10H4D2S-7

Hersteller : Diodes Zetex

Trans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R

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DMP10H4D2S-7

Hersteller : Diodes Zetex

Trans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R

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DMP10H4D2S-7

Hersteller : Diodes Zetex

Trans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R

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DMP10H4D2S-7

Hersteller : Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 25 V

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6000+	0.11 EUR

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DMP10H4D2S-7

Hersteller : DIODES INCORPORATED

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED929B26AB58A18&compId=DMP10H4D2S.pdf?ci_sign=82e5e9f64900e35bef92d13f571ca69bff243505

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.21A; 0.38W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.21A
Power dissipation: 0.38W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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Anzahl	Preis
157+	0.46 EUR
268+	0.27 EUR
407+	0.18 EUR
481+	0.15 EUR
665+	0.11 EUR
9000+	0.08 EUR

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DMP10H4D2S-7

Hersteller : DIODES INCORPORATED

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157+	0.46 EUR
268+	0.27 EUR
407+	0.18 EUR
481+	0.15 EUR
665+	0.11 EUR

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DMP10H4D2S-7

Hersteller : Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 25 V

auf Bestellung 6648 Stücke:

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Anzahl	Preis
28+	0.63 EUR
45+	0.39 EUR
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500+	0.18 EUR
1000+	0.15 EUR

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DMP10H4D2S-7

Hersteller : Diodes Incorporated

MOSFETs P-Ch Enh Mode FET 100V 20Vgss 87pF

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Anzahl	Preis
5+	0.67 EUR
10+	0.44 EUR
100+	0.22 EUR
500+	0.18 EUR
1000+	0.15 EUR
3000+	0.12 EUR
6000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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DMP10H4D2S-7

Hersteller : DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMP10H4D2S-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 270 mA, 4.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1089 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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DMP10H4D2S-7

Hersteller : DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMP10H4D2S-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 270 mA, 4.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 380mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1114 Stücke:

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DMP10H4D2S-7

Hersteller : Diodes Inc

Trans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R

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