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DMP2004VK-7

DMP2004VK-7 Diodes Incorporated

ds30916.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.53A SOT563
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 400mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 39000 Stücke:
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Technische Details DMP2004VK-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMP2004VK-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 530 mA, 530 mA, tariffCode: 85411000, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 530mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 530mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 400mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 400mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
DMP2004VK-7 DMP2004VK-7 Diodes Incorporated ds30916.pdf MOSFETs Dual P-Channel
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4+0.79 EUR
10+0.62 EUR
100+0.39 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.22 EUR
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DMP2004VK-7 DMP2004VK-7 Diodes Incorporated ds30916.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.53A SOT563
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 400mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 40289 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+0.93 EUR
31+0.57 EUR
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DMP2004VK-7 DMP2004VK-7 DIODES INC. ds30916.pdf Description: DIODES INC. - DMP2004VK-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 530 mA, 530 mA
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 530mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 530mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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DMP2004VK-7 DMP2004VK-7 DIODES INC. ds30916.pdf Description: DIODES INC. - DMP2004VK-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 530 mA, 530 mA
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 530mA
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Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 530mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4590 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs Dual P-Channel
auf Bestellung 12800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
4+0.79 EUR
10+0.62 EUR
100+0.39 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.25 EUR
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.53A SOT563
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 400mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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DMP2004VK-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2004VK-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 530 mA, 530 mA
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euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 530mA
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Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2004VK-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 530 mA, 530 mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 530mA
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
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Bauform - Transistor: SOT-563
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Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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