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Technische Details DMP2008UFG-13 Diodes Zetex
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; Idm: -80A; 2.4W, Case: PowerDI3333-8, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -11A, On-state resistance: 17mΩ, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 2.4W, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 72nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±8V, Pulsed drain current: -80A, Mounting: SMD, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote DMP2008UFG-13 nach Preis ab 0.29 EUR bis 0.29 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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DMP2008UFG-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R |
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DMP2008UFG-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R |
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DMP2008UFG-13 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R |
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DMP2008UFG-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R |
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| DMP2008UFG-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; Idm: -80A; 2.4W Case: PowerDI3333-8 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -11A On-state resistance: 17mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.4W Kind of package: reel; tape Gate charge: 72nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -80A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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DMP2008UFG-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333 |
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DMP2008UFG-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333 |
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DMP2008UFG-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET 20V P-CH MOSFET |
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| DMP2008UFG-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; Idm: -80A; 2.4W Case: PowerDI3333-8 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -11A On-state resistance: 17mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.4W Kind of package: reel; tape Gate charge: 72nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -80A Mounting: SMD |
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