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DMP2008UFG-13

DMP2008UFG-13 Diodes Zetex

603dmp2008ufg.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
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Technische Details DMP2008UFG-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMP2008UFG-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 54 A, 0.008 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 54A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 41W, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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DMP2008UFG-13 DMP2008UFG-13 Hersteller : Diodes Zetex 603dmp2008ufg.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
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DMP2008UFG-13 DMP2008UFG-13 Hersteller : Diodes Zetex 603dmp2008ufg.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
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DMP2008UFG-13 DMP2008UFG-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMP2008UFG.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6909 pF @ 10 V
auf Bestellung 675000 Stücke:
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DMP2008UFG-13 DMP2008UFG-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMP2008UFG.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6909 pF @ 10 V
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100+0.57 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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DMP2008UFG-13 DMP2008UFG-13 Hersteller : DIODES INC. DIODS21727-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP2008UFG-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 54 A, 0.008 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2980 Stücke:
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DMP2008UFG-13 DMP2008UFG-13 Hersteller : DIODES INC. DIODS21727-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP2008UFG-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 54 A, 0.008 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMP2008UFG-13 DMP2008UFG-13 Hersteller : Diodes Inc 603dmp2008ufg.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
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DMP2008UFG-13 DMP2008UFG-13 Hersteller : Diodes Zetex 603dmp2008ufg.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
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DMP2008UFG-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMP2008UFG.pdf DMP2008UFG-13 SMD P channel transistors
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DMP2008UFG-13 DMP2008UFG-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMP2008UFG-247286.pdf MOSFET 20V P-CH MOSFET
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