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Technische Details DMP2022LSS-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMP2022LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 770mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote DMP2022LSS-13 nach Preis ab 0.25 EUR bis 1.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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DMP2022LSS-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2444 pF @ 10 V |
auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMP2022LSS-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOP T/R |
auf Bestellung 786 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP2022LSS-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOP T/R |
auf Bestellung 786 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP2022LSS-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -8A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 13mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: 13 inch reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2435 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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DMP2022LSS-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -8A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 13mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: 13 inch reel; tape |
auf Bestellung 2435 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP2022LSS-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs PMOS SINGLE P-CHANNL 20V 10A |
auf Bestellung 5084 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMP2022LSS-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2444 pF @ 10 V |
auf Bestellung 27855 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMP2022LSS-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2022LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 770mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP2022LSS-13 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOP T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |