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DMP2022LSS-13

DMP2022LSS-13 Diodes Zetex

349217503113289ds31373.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 160000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Technische Details DMP2022LSS-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMP2022LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 770mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote DMP2022LSS-13 nach Preis ab 0.3 EUR bis 2.37 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMP2022LSS-13 DMP2022LSS-13 Diodes Incorporated ds31373.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2444 pF @ 10 V
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.55 EUR
5000+0.51 EUR
7500+0.49 EUR
12500+0.46 EUR
17500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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DMP2022LSS-13 DMP2022LSS-13 Diodes Zetex 349217503113289ds31373.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 786 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+0.58 EUR
348+0.5 EUR
351+0.48 EUR
500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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DMP2022LSS-13 DMP2022LSS-13 Diodes Zetex 349217503113289ds31373.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 786 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
281+0.62 EUR
298+0.56 EUR
300+0.54 EUR
348+0.45 EUR
351+0.43 EUR
500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 281 Stücke
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DMP2022LSS-13 DMP2022LSS-13 DIODES INCORPORATED DMP2022LSS-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
On-state resistance: 13mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 13 inch reel; tape
auf Bestellung 2301 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+1.34 EUR
76+1.13 EUR
86+1 EUR
124+0.69 EUR
145+0.58 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
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DMP2022LSS-13 DMP2022LSS-13 Diodes Incorporated ds31373.pdf MOSFETs PMOS SINGLE P-CHANNL 20V 10A
auf Bestellung 10108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.15 EUR
10+1.36 EUR
100+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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DMP2022LSS-13 DMP2022LSS-13 Diodes Incorporated ds31373.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2444 pF @ 10 V
auf Bestellung 18121 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.15 EUR
16+1.36 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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DMP2022LSS-13 DMP2022LSS-13 DIODES INC. ds31373.pdf Description: DIODES INC. - DMP2022LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 770mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+2.37 EUR
148+1.58 EUR
236+0.9 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
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DMP2022LSS-13 DMP2022LSS-13 DIODES INC. ds31373.pdf Description: DIODES INC. - DMP2022LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 770mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+2.37 EUR
148+1.58 EUR
236+0.9 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
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DMP2022LSS-13 ds31373.pdf
DMP2022LSS-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2444 pF @ 10 V
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.55 EUR
5000+0.51 EUR
7500+0.49 EUR
12500+0.46 EUR
17500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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DMP2022LSS-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 786 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
300+0.58 EUR
348+0.5 EUR
351+0.48 EUR
500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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DMP2022LSS-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 786 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
281+0.62 EUR
298+0.56 EUR
300+0.54 EUR
348+0.45 EUR
351+0.43 EUR
500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 281 Stücke
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DMP2022LSS-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
On-state resistance: 13mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 13 inch reel; tape
auf Bestellung 2301 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
64+1.34 EUR
76+1.13 EUR
86+1 EUR
124+0.69 EUR
145+0.58 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
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DMP2022LSS-13
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs PMOS SINGLE P-CHANNL 20V 10A
auf Bestellung 10108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.15 EUR
10+1.36 EUR
100+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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DMP2022LSS-13 ds31373.pdf
DMP2022LSS-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2444 pF @ 10 V
auf Bestellung 18121 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.15 EUR
16+1.36 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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DMP2022LSS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2022LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 770mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
106+2.37 EUR
148+1.58 EUR
236+0.9 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2022LSS-13 ds31373.pdf
DMP2022LSS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2022LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 770mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
106+2.37 EUR
148+1.58 EUR
236+0.9 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
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