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DMP2035UVT-7

DMP2035UVT-7 Diodes Zetex

284018053575177dmp2035uvt.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
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Technische Details DMP2035UVT-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMP2035UVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.023 ohm, TSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.2W, Bauform - Transistor: TSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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DMP2035UVT-7 DMP2035UVT-7 Hersteller : Diodes Zetex 284018053575177dmp2035uvt.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
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DMP2035UVT-7 DMP2035UVT-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMP2035UVT.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 6A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V
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DMP2035UVT-7 DMP2035UVT-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797FA3ED50524A748&compId=DMP2035UVT.pdf?ci_sign=9f296fb25f5c4370bc860ca04444f942409f1a72 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.8A; 1.2W; TSOT26; ESD
Case: TSOT26
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.8A
On-state resistance: 62mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
101+0.71 EUR
158+0.45 EUR
201+0.36 EUR
271+0.26 EUR
459+0.16 EUR
486+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 101
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DMP2035UVT-7 DMP2035UVT-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797FA3ED50524A748&compId=DMP2035UVT.pdf?ci_sign=9f296fb25f5c4370bc860ca04444f942409f1a72 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.8A; 1.2W; TSOT26; ESD
Case: TSOT26
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.8A
On-state resistance: 62mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
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DMP2035UVT-7 DMP2035UVT-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMP2035UVT.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 6A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V
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Mindestbestellmenge: 23
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DMP2035UVT-7 DMP2035UVT-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMP2035UVT.pdf MOSFETs P-Ch -20V ENH Mode 35mOhm -4.5V -6.0A
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DMP2035UVT-7 DMP2035UVT-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0002832692-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - DMP2035UVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.023 ohm, TSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: TSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMP2035UVT-7 DMP2035UVT-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0002832692-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - DMP2035UVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.023 ohm, TSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: TSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMP2035UVT-7 DMP2035UVT-7 Hersteller : Diodes Inc 284018053575177dmp2035uvt.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
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