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DMP2045U-7

DMP2045U-7 Diodes Incorporated

DMP2045U.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
auf Bestellung 144000 Stücke:
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AnzahlPreis
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
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Technische Details DMP2045U-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
DMP2045U-7 DMP2045U-7 Diodes DMP2045U.pdf Транзистор: P-MOSFET, полевой, 24В, 4,3А, SOT23 Транзистори
auf Bestellung 491 Stücke:
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34+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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DMP2045U-7 DMP2045U-7 Diodes Incorporated DMP2045U.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V
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DMP2045U-7 DMP2045U-7 DIODES INCORPORATED DMP2045U.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.1A; 0.8W; SOT23; ESD
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.1A
On-state resistance: 90mΩ
Power dissipation: 0.8W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 7 inch reel; tape
auf Bestellung 3797 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+0.37 EUR
391+0.18 EUR
758+0.094 EUR
876+0.082 EUR
989+0.072 EUR
1036+0.069 EUR
3000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 193 Stücke
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DMP2045U-7 DMP2045U-7 Diodes Incorporated DMP2045U.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
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29+0.62 EUR
47+0.38 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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DMP2045U-7
Hersteller: Diodes
Транзистор: P-MOSFET, полевой, 24В, 4,3А, SOT23 Транзистори
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MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V
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Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.1A; 0.8W; SOT23; ESD
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.1A
On-state resistance: 90mΩ
Power dissipation: 0.8W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 7 inch reel; tape
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Description: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
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100+0.24 EUR
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