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DMP2065UFDB-7

DMP2065UFDB-7 Diodes Zetex


dmp2065ufdb.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
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Technische Details DMP2065UFDB-7 Diodes Zetex

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.54W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 752pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B), Part Status: Active.

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DMP2065UFDB-7 DMP2065UFDB-7 Hersteller : Diodes Zetex dmp2065ufdb.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
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DMP2065UFDB-7 DMP2065UFDB-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMP2065UFDB.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.54W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 752pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
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DMP2065UFDB-7 DMP2065UFDB-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMP2065UFDB.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.54W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 752pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
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DMP2065UFDB-7 DMP2065UFDB-7 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0009691043_1-2543227.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
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DMP2065UFDB-7 DMP2065UFDB-7 Hersteller : Diodes Inc dmp2065ufdb.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
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DMP2065UFDB-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMP2065UFDB.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -3.2A; 0.74W; U-DFN2020-6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.2A
Power dissipation: 0.74W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMP2065UFDB-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMP2065UFDB.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -3.2A; 0.74W; U-DFN2020-6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.2A
Power dissipation: 0.74W
Case: U-DFN2020-6
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On-state resistance: 0.1Ω
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