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DMP210DUFB4-7

DMP210DUFB4-7 Diodes Incorporated


Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 200MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 15 V
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.089 EUR
6000+0.083 EUR
9000+0.069 EUR
30000+0.068 EUR
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Technische Details DMP210DUFB4-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMP210DUFB4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 5 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: X2-DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote DMP210DUFB4-7 nach Preis ab 0.092 EUR bis 0.71 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMP210DUFB4-7 DMP210DUFB4-7 DIODES INC. DIOD-S-A0011483523-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP210DUFB4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 5 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.46 EUR
855+0.25 EUR
1250+0.17 EUR
2326+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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DMP210DUFB4-7 DMP210DUFB4-7 Diodes Incorporated Description: MOSFET P-CH 20V 200MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 15 V
auf Bestellung 42558 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
39+0.55 EUR
58+0.37 EUR
118+0.18 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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DMP210DUFB4-7 DMP210DUFB4-7 DIODES INC. DIOD-S-A0011483523-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP210DUFB4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 5 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
348+0.71 EUR
500+0.46 EUR
855+0.25 EUR
1250+0.17 EUR
2326+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 348 Stücke
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DMP210DUFB4-7 DMP210DUFB4-7 Diodes Incorporated MOSFET P-Channel -20V FET 8Vgss 0.35W
auf Bestellung 4792 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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DMP210DUFB4-7 DIOD-S-A0011483523-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP210DUFB4-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP210DUFB4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 5 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2755 Stücke:
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DMP210DUFB4-7
DMP210DUFB4-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 200MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 15 V
auf Bestellung 42558 Stücke:
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DMP210DUFB4-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP210DUFB4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 5 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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500+0.46 EUR
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2326+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 348 Stücke
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DMP210DUFB4-7
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MOSFET P-Channel -20V FET 8Vgss 0.35W
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