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DMP210DUFB4-7B

DMP210DUFB4-7B Diodes Zetex

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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 0.2A 3-Pin X2-DFN T/R
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Technische Details DMP210DUFB4-7B Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMP210DUFB4-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 5 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: X2-DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMP210DUFB4-7B DMP210DUFB4-7B Diodes Zetex dmp210dufb4.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.2A 3-Pin X2-DFN T/R
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DMP210DUFB4-7B DMP210DUFB4-7B DIODES INC. DIOD-S-A0011483523-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP210DUFB4-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 5 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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DMP210DUFB4-7B DMP210DUFB4-7B DIODES INC. DIOD-S-A0011483523-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP210DUFB4-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 5 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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DMP210DUFB4-7B DMP210DUFB4-7B Diodes Incorporated MOSFET P-Channel -20V FET 8Vgss 0.35W
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Description: DIODES INC. - DMP210DUFB4-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 5 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
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Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Description: DIODES INC. - DMP210DUFB4-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 5 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
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