DMP2110UFDB-7 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 820mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
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| Anzahl | Preis |
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| 3000+ | 0.17 EUR |
| 6000+ | 0.15 EUR |
| 15000+ | 0.14 EUR |
| 21000+ | 0.13 EUR |
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Technische Details DMP2110UFDB-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP2110UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.075 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.075ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.14W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.075ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.14W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote DMP2110UFDB-7 nach Preis ab 0.12 EUR bis 0.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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DMP2110UFDB-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2110UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.075 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.075ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.14W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.075ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.14W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP2110UFDB-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2110UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.075 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.075ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.14W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.075ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.14W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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| DMP2110UFDB-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2110UFDB-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K |
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