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DMP2160UFDBQ-7

DMP2160UFDBQ-7 Diodes Zetex


dmp2160ufdbq.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R
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Technische Details DMP2160UFDBQ-7 Diodes Zetex

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.4W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 536pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.8A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B).

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DMP2160UFDBQ-7 DMP2160UFDBQ-7 Hersteller : Diodes Zetex dmp2160ufdbq.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R
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DMP2160UFDBQ-7 DMP2160UFDBQ-7 Hersteller : Diodes Zetex dmp2160ufdbq.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R
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DMP2160UFDBQ-7 DMP2160UFDBQ-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMP2160UFDBQ.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 536pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
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DMP2160UFDBQ-7 DMP2160UFDBQ-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMP2160UFDBQ.pdf MOSFET Dual P-Ch Enh FET VDSS -20V -12VGSS
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DMP2160UFDBQ-7 DMP2160UFDBQ-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMP2160UFDBQ.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 536pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
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DMP2160UFDBQ-7 DMP2160UFDBQ-7 Hersteller : Diodes Inc 54dmp2160ufdbq.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A Automotive 6-Pin UDFN EP T/R
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DMP2160UFDBQ-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMP2160UFDBQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -13A; 1.4W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -13A
Power dissipation: 1.4W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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DMP2160UFDBQ-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMP2160UFDBQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -13A; 1.4W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -13A
Power dissipation: 1.4W
Case: U-DFN2020-6
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On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
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