DMP2160UWQ-7 Diodes Zetex
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Technische Details DMP2160UWQ-7 Diodes Zetex
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.2A; Idm: -10A; 350mW, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -1.2A, Pulsed drain current: -10A, Power dissipation: 0.35W, Case: SOT323, Gate-source voltage: ±10V, On-state resistance: 0.12Ω, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote DMP2160UWQ-7 nach Preis ab 0.15 EUR bis 0.23 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||
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DMP2160UWQ-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
 P-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP2160UWQ-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
P-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP2160UWQ-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT323 T&R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP2160UWQ-7 | Hersteller : Diodes Inc |
P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP2160UWQ-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
P-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMP2160UWQ-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.2A; Idm: -10A; 350mW Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.2A Pulsed drain current: -10A Power dissipation: 0.35W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMP2160UWQ-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET 20V P-CH MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMP2160UWQ-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.2A; Idm: -10A; 350mW Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.2A Pulsed drain current: -10A Power dissipation: 0.35W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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