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DMP2170U-7

DMP2170U-7 Diodes Zetex

3233dmp2170u.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details DMP2170U-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMP2170U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.01V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 780mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMP2170U-7 DMP2170U-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMP2170U.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4641000 Stücke:
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Anzahl Preis
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9000+0.12 EUR
75000+0.10 EUR
150000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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DMP2170U-7 DMP2170U-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMP2170U.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4642470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+0.63 EUR
40+0.45 EUR
100+0.23 EUR
500+0.20 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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DMP2170U-7 DMP2170U-7 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0002497872_1-2541993.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
auf Bestellung 11242 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+0.64 EUR
10+0.45 EUR
100+0.20 EUR
1000+0.16 EUR
3000+0.14 EUR
9000+0.13 EUR
24000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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DMP2170U-7 DMP2170U-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0002497872-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP2170U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.01V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3449 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMP2170U-7 DMP2170U-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0002497872-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP2170U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.01V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4014 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMP2170U-7 DMP2170U-7 Hersteller : Diodes Zetex 3233dmp2170u.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
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DMP2170U-7 DMP2170U-7 Hersteller : Diodes Inc 3233dmp2170u.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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DMP2170U-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMP2170U.pdf DMP2170U-7 SMD P channel transistors
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