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DMP22M2UPS-13

DMP22M2UPS-13 Diodes Zetex


dmp22m2ups.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 42A 8-Pin PowerDI EP T/R
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Technische Details DMP22M2UPS-13 Diodes Zetex

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -33.5A; Idm: -100A; 2.3W, Gate charge: 476nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±12V, Pulsed drain current: -100A, Mounting: SMD, Case: PowerDI5060-8, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -33.5A, On-state resistance: 5mΩ, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 2.3W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke.

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DMP22M2UPS-13 DMP22M2UPS-13 Hersteller : Diodes Zetex dmp22m2ups.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 42A 8-Pin PowerDI EP T/R
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DMP22M2UPS-13 DMP22M2UPS-13 Hersteller : Diodes Zetex dmp22m2ups.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 42A 8-Pin PowerDI EP T/R
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DMP22M2UPS-13 DMP22M2UPS-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMP22M2UPS.pdf MOSFET 20V P-Ch Enh FET 12Vgss PPAP
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DMP22M2UPS-13 DMP22M2UPS-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMP22M2UPS.pdf Description: MOSFET P-CH 20V POWERDI5060-8
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DMP22M2UPS-13 DMP22M2UPS-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMP22M2UPS.pdf Description: MOSFET P-CH 20V POWERDI5060-8
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DMP22M2UPS-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMP22M2UPS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -33.5A; Idm: -100A; 2.3W
Gate charge: 476nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -100A
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -33.5A
On-state resistance: 5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMP22M2UPS-13 DMP22M2UPS-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMP22M2UPS.pdf Description: MOSFET P-CH 20V POWERDI5060-8
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DMP22M2UPS-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMP22M2UPS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -33.5A; Idm: -100A; 2.3W
Gate charge: 476nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -100A
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -33.5A
On-state resistance: 5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
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