DMP2900UV-7 Diodes Incorporated
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.13 EUR |
| 10+ | 0.68 EUR |
| 100+ | 0.48 EUR |
| 500+ | 0.37 EUR |
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Technische Details DMP2900UV-7 Diodes Incorporated
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -680mA; Idm: -2.5A; 800mW, Drain current: -680mA, Gate charge: 0.7nC, Power dissipation: 0.8W, Gate-source voltage: ±6V, Kind of package: 7 inch reel; tape, On-state resistance: 25Ω, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: P-MOSFET x2, Mounting: SMD, Case: SOT563, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Pulsed drain current: -2.5A.
Weitere Produktangebote DMP2900UV-7
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| DMP2900UV-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| DMP2900UV-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -680mA; Idm: -2.5A; 800mW Drain current: -680mA Gate charge: 0.7nC Power dissipation: 0.8W Gate-source voltage: ±6V Kind of package: 7 inch reel; tape On-state resistance: 25Ω Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET x2 Mounting: SMD Case: SOT563 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Pulsed drain current: -2.5A |
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| DMP2900UV-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563
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| DMP2900UV-7 |
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -680mA; Idm: -2.5A; 800mW
Drain current: -680mA
Gate charge: 0.7nC
Power dissipation: 0.8W
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 25Ω
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Mounting: SMD
Case: SOT563
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -2.5A
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -680mA; Idm: -2.5A; 800mW
Drain current: -680mA
Gate charge: 0.7nC
Power dissipation: 0.8W
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 25Ω
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Mounting: SMD
Case: SOT563
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
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